例如在电力电子系统应用中,一直期待1200V以上耐压的高速功率器件出现,这样的器件当今非SiC MOSFET莫属。除高速之外,碳化硅还具有高热导率、高击穿场强、高饱和电子漂移速率等特点,尤其适合对高温、高功率、高压、高频以及抗辐射等恶劣条件要求较高的应用。
功率密度是器件技术价值的另一个重要方面。SiC MOSFET芯片面积比IGBT小很多,譬如100A 1200V的SiC MOSFET芯片大小大约是IGBT与续流二级管之和的五分之一。因此,在电机驱动应用中,SiC MOSFET的价值能够得到很好的体现,其中包括650V SiC MOSFET。在耐高压方面,1200V以上高压的SiC高速器件,可以通过提高系统的开关频率来提高系统性能,提高系统功率密度。