碳化硅,2024年起飞?-第三代半導體產品介紹以及材料應用-晁元國際有限公司

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The third-generation semiconductor SiC MOSFET
碳化硅是一种非常昂贵且极其坚硬的材料。但 SiC 晶圆也很脆,因此需要格外小心地处理。因为它们是透明的,处理系统中使用的前几代传感器无法看到它们。晶圆往往会弯曲,因此习惯于硅晶圆平坦度的行业不得不适应。而且这种材料有一些特殊的特性,使掺杂等某些过程变得非常困难。

然而,凭借如此有希望的市场机会,许多领先的 SiC IDM 已宣布扩大其制造设施。Wolfspeed 在纽约州北部拥有新的 200 毫米晶圆厂。博世正在德国增加近 40,000 平方英尺的新 SiC 专用洁净室。Rohm 在日本开设了一家新工厂,目标是在未来五年内将 SiC 制造量提高 5 倍。英飞凌刚刚开始在马来西亚建设新的 SiC 工厂。日本媒体报道称,东芝计划到 2024 年将 SiC 产量提高 3 倍,到 2026 年提高 10 倍。